[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆片；

形成在所述晶圆片之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和

形成在所述多个凸起结构顶部的半导体薄层，且所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构为多层结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，其中，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

形成在所述半导体薄层之上的高迁移率半导体材料层。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供晶圆片；

在所述晶圆片之上形成多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和

在所述多个凸起结构顶部形成半导体薄层，且所述半导体薄层与所述晶圆片之间间隔预定高度以使所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

根据输入的版图文件对所述晶圆片进行划分，将所述晶圆片划分为多个第一区域和多个第二区域，其中，在所述多个第一区域中生长MOS晶体管器件；

去除所述多个第二区域中的半导体薄层和凸起结构；和

在所述多个第一区域中形成MOS晶体管器件，其中，所述多个第一区域之中的凸起结构作为所述MOS晶体管器件的沟道，所述多个第一区域之中的半导体薄层为所述MOS晶体管器件的源极和漏极。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

根据输入的版图文件对所述晶圆片进行划分，将所述晶圆片划分为多个第一区域和多个第二区域，其中，在所述多个第一区域中生长MOS晶体管器件；

去除所述多个第二区域中的半导体薄层和凸起结构；和

在所述多个第一区域中形成MOS晶体管器件，其中，所述多个第一区域之中的相邻的两个凸起结构分别作为所述MOS晶体管器件的源极和漏极，所述相邻的两个凸起结构之间的半导体薄层作为所述MOS晶体管器件的沟道。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在多个凸起结构顶部形成半导体薄层具体包括：

对所述晶圆片及所述多个凸起结构退火形成所述半导体薄层，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体薄层之上形成高迁移率半导体材料层。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在多个凸起结构顶部形成半导体薄层具体包括：

在所述多个凸起结构之上外延形成所述半导体薄层。

13.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在晶圆片之上形成多个凸起结构进一步包括：

在所述晶圆片之上形成第一半导体材料层；

向所述第一半导体材料层之中注入Si或Ge离子以在所述第一半导体材料层之中形成离子注入层；和

对所述第一半导体材料层进行选择性刻蚀以形成所述多个凸起结构。