[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110149704.1 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102214681A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王敬;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构，包括：Si晶圆；形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层与所述Si晶圆之间间隔预定高度以使所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空。可采用本发明实施例形成的半导体薄层形成器件，由于半导体薄层相对于Si晶圆悬空，从而抑制泄漏电流，因此本发明实施例的半导体结构能够抑制泄漏电流的产生。该半导体薄层非常薄，通常小于10nm，因此可以用于制备超浅结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：Si晶圆；形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空。
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