[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

Si晶圆；

形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和

形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构为Si、Si_1-xC_x、Si_yGe_1-y或Ge。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起结构为多层结构，所述凸起结构的底层为Si，所述凸起结构的顶层为Si_1-xC_x、Si_yGe_1-y或Ge。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，其中，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在退火时还通入SiH₄、GeH₄、SiH₂Cl₂、SiHCl₃中的一种或多种气体。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体薄层为Si、Si_yGe_1-y层或Ge。

8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

形成在所述第一半导体薄层之上的第二半导体层。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体层为应变Si层或Ge层，或者，所述第二半导体层为应变Si_yGe_1-y层，其中，所述第二半导体层的Ge组分大于所述第一半导体薄层的Ge组分。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供Si晶圆；

在所述Si晶圆之上形成多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和

在所述多个凸起结构顶部形成第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凸起结构为Si、Si_1-xC_x、Si_yGe_1-y或Ge。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凸起结构为多层结构，所述凸起结构的底层为Si，所述凸起结构的底层为Si_1-xC_x、Si_yGe_1-y或Ge。

14.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，其中，所述退火温度为800-1350度，且在退火时气氛中含有氢气。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在退火时还通入SiH₄、GeH₄、SiH₂Cl₂、SiHCl₃中的一种或多种气体。