[发明专利]非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110142020.9 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102201452A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法。所述非易失性存储器包括衬底；部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括依次设置的耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；填充在所述两个分离的结构单元之间的耦合传导介质，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；位于所述结构单元外侧的衬底表面的隧道介质；位于所述隧道介质上的控制栅极，所述控制栅极与所述浮栅隔离。本发明的非易失性存储器结构简单，制作方便，有利于进一步的减小存储单元的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，其特征在于，包括：衬底；部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质、浮栅、支撑介质依次设置，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；耦合传导介质，所述耦合传导介质填充在所述两个分离的结构单元之间，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；隧道介质，所述隧道介质位于所述结构单元外侧的衬底表面；控制栅极，所述控制栅极位于所述隧道介质上，所述控制栅极与所述浮栅隔离。
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