[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

衬底；

部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质、浮栅、支撑介质依次设置，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；

耦合传导介质，所述耦合传导介质填充在所述两个分离的结构单元之间，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；

隧道介质，所述隧道介质位于所述结构单元外侧的衬底表面；

控制栅极，所述控制栅极位于所述隧道介质上，所述控制栅极与所述浮栅隔离。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括设置于所述衬底内且位于两个所述结构单元之间的源极。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括设置于所述衬底内且位于所述控制栅极外侧的漏极。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述浮栅的表面高于所述衬底的表面。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括设置于所述隧道介质和控制栅极外侧且在所述衬底表面的另一侧壁，该侧壁贴附所述隧道介质和控制栅极。

6.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成衬底及依次位于所述衬底表面的隧道介质层、控制栅极层、刻蚀阻挡层；

刻蚀所述刻蚀阻挡层、控制栅极层、隧道介质层和衬底，在所述刻蚀阻挡层、控制栅极层、隧道介质层形成开口，在所述衬底内形成沟槽；

在所述沟槽内壁及所述开口的侧壁形成耦合介质层，在所述耦合介质层内嵌入浮栅；

在所述开口侧壁形成位于所述浮栅表面的两个分离的第一支持介质层；

以所述刻蚀阻挡层和所述第一支撑介质层为掩摸，刻蚀所述浮栅和耦合介质层形成两个分离的结构单元；

在所述两个分离的结构单元之间形成贴附所述耦合介质层、浮栅、第一支撑介质层的侧壁层；

在所述两个分离的结构单元之间填充耦合传导层，所述浮栅与所述耦合传导层隔离；

去除所述刻蚀阻挡层，在所述开口的侧壁的耦合介质层的外侧且在所述控制栅极层上形成贴附所述耦合介质层的第二支撑介质层；

以所述第二支撑介质层为掩膜刻蚀所述隧道介质层、控制栅极层，形成控制栅极和隧道介质，所述控制栅极与所述浮栅隔离。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，刻蚀所述隔离介质层、浮栅形成两个分离的结构单元后，以所述刻蚀阻挡层和所述第一支撑介质层为掩摸，在所述衬底内进行离子注入，形成所述非易失性存储器的存储单元的源极。

8.如权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，形成所述控制栅极后，在所述控制栅极外侧的衬底内进行离子注入，形成所述非易失性存储器的存储单元的漏极。

9.如权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，形成所述控制栅极后，在所述隧道介质和控制栅极外侧的所述衬底表面形成另一侧壁层，该侧壁层贴附所述隧道介质和控制栅极。

10.如权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述耦合介质层、第一、第二支撑介质层、侧壁层和隧道介质层中的至少一种的材料为氧化硅。