[发明专利]等离子体刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110141821.3 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102208333A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体刻蚀方法，包括：提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化，采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。采用本发明刻蚀后的有机材料层均匀性好，转移图案均一性高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀方法，包括：提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；其特征在于，以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体等离子化，采用等离子化的O2与CO的混合气体或者CO2与CO的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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