[发明专利]等离子体刻蚀方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀方法，包括：

提供介质层，所述介质层表面形成有有机材料层，所述有机材料层表面形成有光刻图形层；

其特征在于，

以所述光刻图形层掩膜，对刻蚀气体为O₂与CO的混合气体或者CO₂与CO的混合气体等离子化，采用等离子化的O₂与CO的混合气体或者CO₂与CO的混合气体，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出所述介质层。

2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，当刻蚀气体为CO与O₂的混合气体时，O₂与CO流量比为3∶1～1∶5。

3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，当刻蚀气体为CO₂与CO的混合气体时，O₂与CO流量比为5∶1～1∶5。

4.如权利要求1至3任意一项所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，等离子化刻蚀气体的工艺参数为：刻蚀腔体压力为5～100mT，频率13～120MHZ。

5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述有机材料层厚度为150nm至500nm。

6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和位于第一介质层表面的阻挡层。

7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，光刻图形层包括：

位于有机材料层表面的隔离层；位于隔离层表面的光刻胶层。

8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述隔离层为单一覆层或者多层堆叠结构。

9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，当所述隔离层为单一覆层时，所述隔离层材料为掺杂有硅的有机材料。

10.如权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，当所述隔离层为多层堆叠结构时，所述隔离层包括：形成在所述有机材料层表面的低温氧化层和形成在低温氧化层表面的底部抗反射层。

11.如权利要求10所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，对所述有机材料层进行刻蚀直至暴露出阻挡层的同时，去除所述光刻胶层和所述底部抗反射层直至暴露出低温氧化层。

12.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述介质层材料为低k介质材料。