[发明专利]非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统有效
| 申请号： | 201110138594.9 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800362A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：在逻辑块中所有存储单元的字线上施加大于目标阈值电压的处理电压；校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压，若是，则结束操作，反之，则进行下一步骤；对校验后所有阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作，并返回上一步骤。本发明还提供了一种实现前述方法的非易失存储器的过擦除处理系统。本发明的非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统，能够快速的使所有的存储单元恢复到正常的擦除状态，节省了过擦除处理的时间，提高了测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 擦除 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：在逻辑块中所有存储单元的字线上施加大于目标阈值电压的处理电压；校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压，若是，则结束操作，反之，则进行下一步骤；对校验后所有阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作，并返回上一步骤。
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