[发明专利]非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统

权利要求书

1.一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：

在逻辑块中所有存储单元的字线上施加大于目标阈值电压的处理电压；

校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压，若是，则结束操作，反之，则进行下一步骤；

对校验后所有阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作，并返回上一步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理电压的选取方法为：

确定目标阈值电压及过驱动电压；

所述处理电压的取值为目标阈值电压与过驱动电压之和。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标阈值电压的取值为正常擦除状态下阈值电压范围的最小值。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述目标阈值电压的取值范围为0.5V-1V。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压包括以下步骤：

选择一个参考存储单元，所述参考存储单元的阈值电压为目标阈值电压，并给该存储单元的字线施加一个参考电压，获得预定的参考电流；

给待校验的各存储单元的字线施加一个正电压，得出该待校验存储单元中的测量电流；

比较参考电流和各测量电流，若测量电流大于参考电流，则存储单元的阈值电压小于目标阈值电压，反之，则大于等于目标阈值电压。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预定的参考电流根据逻辑块的大小确定，逻辑块越大，预定的参考电流越大。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定的参考电流的取值范围为10μA-20μA。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，给待校验的存储单元的字线施加的正电压的值为该待校验的存储单元的目标阈值电压与过驱动电压之和。

9.如权利要求2或8所述的方法，其特征在于，所述过驱动电压与所述目标阈值电压之和不大于所述存储器处于正常擦除状态时的阈值电压的上限。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述过驱动电压的取值范围为0.1V至0.3V之间。

11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压还包括：在给待校验的存储单元的字线施加一个正电压的时候，给与所述待校验的存储单元同一位线上的其它存储单元的字线上施加一个负电压。

12.一种非易失存储器的过擦除处理系统，其特征在于，包括：

电压施加模块，对逻辑块中所有存储单元的字线施加大于目标阈值电压的处理电压；

校验模块，用于校验经过电压施加后的各存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压；

软编程模块，用于对阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述校验模块包括：

电压施加子模块，对参考存储单元及各存储单元施加电压；

电流测量子模块，对参考存储单元的参考电流及各存储单元的测量电流进行测量；

比较子模块，对参考存储单元中产生的参考电流及各存储单元的测量电流进行比较；若测量电流大于参考电流，则存储单元的阈值电压小于目标阈值电压，反之，则大于等于目标阈值电压。