[发明专利]铜大马士革工艺金属-绝缘层-金属电容结构及制造工艺

摘要

本发明铜大马士革工艺金属-绝缘层-金属电容的结构及其制造工艺，通过添加两张掩模板，使用单大马士革工艺同时制作金属-绝缘层-金属电容和电感，使得通过本发明的技术方案生产出的金属-绝缘层-金属双层电容结构能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感的的铜大马士革工艺，并增大金属-绝缘层-金属电容密度。

主权项

一种铜大马士革工艺金属‑绝缘层‑金属电容制造方法，其特征在于，淀积一基体介电层，通过大马士革工艺在基体上形成第一电极沟槽和金属互连线沟槽，并制作第一电极和金属互连线；在基体介电层上依次淀积第一介电阻挡层和第一介电层；刻蚀第一介电层、第一介电阻挡层形成第二电极沟槽，使所述第二电极沟槽的底部接触所述第一电极；淀积形成第一绝缘层，使所述第一绝缘层覆盖所述第一介电层及所述第二电极沟槽；通过光刻和刻蚀形成通孔，使所述通孔穿过所述第一绝缘层、所述第一介电层以及所述第一介电阻挡层，连接所述金属互连线；在通孔及覆盖有第一绝缘层的第二电极沟槽中淀积形成金属阻挡层和铜籽晶层，并填充金属铜，之后进行化学机械研磨平坦化，以去除多余金属，形成第二电极和通孔连线；依次在所述第一介电层上淀积第二介电阻挡层和第二介电层；刻蚀第二介电层、第二介电阻挡层形成第三电极沟槽，使所述第三电极沟槽的底部接触所述第二电极；淀积形成第二绝缘层，使所述第二绝缘层覆盖所述第二介电层及所述第三电极沟槽；刻蚀第二绝缘层、第二介电层、第二介电阻挡层形成第一连线沟槽和第二连线沟槽，使所述第一连线沟槽穿过所述第二绝缘层、所述第二介电层以及所述第二介电阻挡层，接触所述通孔连线；使所述第二连线沟槽穿过所述第二绝缘层、所述第二介电层以及所述第二介电阻挡层，接触所述第二电极；在第一连线沟槽、第二连线沟槽以及覆盖有第二绝缘层的第三电极沟槽中淀积形成金属阻挡层和铜籽晶层，填充金属铜，并进行化学机械研磨平坦化，以去除多余金属，形成第三电极、第一沟槽连线和第二沟槽连线。