[发明专利]硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法有效
| 申请号: | 201110135623.6 | 申请日: | 2011-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN102222728A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 董文静;陈鑫;黄婵燕;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法。该方法是在硅基太阳能电池表面先利用原子层沉积或者溶液法制得一层氧化锌,退火后在前驱体水溶液中反应得到氧化锌纳米阵列减反射层。本发明的优点在于:有效地减少了硅基太阳能电池表面的光反射,在一定波长范围内提高了硅基太阳能电池的光电转换效率,且该氧化锌纳米阵列减反射层制备方法简单,实验温度低。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 表面 氧化锌 纳米 阵列 反射层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在硅基太阳能电池样品表面生长厚度为10‑50nm的氧化锌层;2)将硅基太阳能电池样品在350‑400℃下退火20‑60min,自然冷却;3)将硅基太阳能电池样品浸入含有0.75‑7.5mM聚乙烯亚胺、0.005‑0.05M六水硝酸锌和0.005‑0.05M环六亚甲基四胺前驱体的水溶液中,置于80‑100℃温度下,反应2‑8小时;4)冷却后将硅基太阳能电池样品取出,用去离子水冲洗,最后用氮气吹干,获得氧化锌纳米阵列减反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





