[发明专利]硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法

权利要求书

1.一种硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在硅基太阳能电池样品表面生长厚度为10-50nm的氧化锌层；

2)将硅基太阳能电池样品在350-400℃下退火20-60min，自然冷却；

3)将硅基太阳能电池样品浸入含有0.75-7.5mM聚乙烯亚胺、0.005-0.05M六水硝酸锌和0.005-0.05M环六亚甲基四胺前驱体的水溶液中，置于80-100℃温度下，反应2-8小时；

4)冷却后将硅基太阳能电池样品取出，用去离子水冲洗，最后用氮气吹干，获得氧化锌纳米阵列减反射层。

2.根据权利要求1所述的一种硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的厚度为10-50nm的氧化锌层采用原子层沉积方法获得，或者采用含有2-8mM无水醋酸锌和2-8mM二乙醇胺的无水乙醇溶液涂于硅基太阳能电池表面后获得。

3.根据权利要求1所述的一种硅基太阳能电池表面氧化锌纳米阵列减反射层的制备方法，其特征在于：所述的硅基太阳能电池样品是多晶硅电池、单晶硅电池或者非晶硅电池。