[发明专利]静电容型压力传感器有效
申请号: | 201110134840.3 | 申请日: | 2011-05-23 |
公开(公告)号: | CN102313623A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 桑原朗;畑板刚久;岸田创太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
主分类号: | G01L9/12 | 分类号: | G01L9/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本京都府京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种静电容型压力传感器,防止隔膜因由传感器主体的热膨胀率以及固定用构件的热膨胀率产生的热应力而发生变形。静电容型压力传感器包括固定着固定电极(21)的传感器主体(2)、与传感器主体(2)之间形成密闭空间的隔膜构造体(3)、以及以将隔膜构造体(3)的受压部予以包围的方式被接合且将流体引导至受压部的固定用构件(4)。隔膜构造体(3)包括平板状的隔膜主体(31)、设置在隔膜主体(31)的周缘部两侧的热膨胀率已知的第一环状构件(32)以及第二环状构件(33)。 | ||
搜索关键词: | 静电 压力传感器 | ||
【主权项】:
一种静电容型压力传感器,对因压力而发生位移的隔膜与固定电极之间的静电容的变化进行检测,从而对压力进行测定,该静电容型压力传感器包括:传感器主体,以使所述固定电极露出至一端侧的方式而固定着所述固定电极;隔膜构造体,以与所述传感器主体之间形成密闭空间的方式而接合于所述传感器主体的一端侧;以及固定用构件,以将所述隔膜构造体的受压部予以包围的方式而接合于所述隔膜构造体,安装于形成被测定流路的流路形成构件,将流体引导至所述受压部,所述隔膜构造体包括:形成所述隔膜的平板状的隔膜主体;热膨胀率已知的第一环状构件,接合于所述隔膜主体中的电极侧周缘部,且连接于所述传感器主体的一端侧;以及热膨胀率已知的第二环状构件,接合于所述隔膜主体中的受压侧周缘部,且连接于所述固定用构件。
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