[发明专利]静电容型压力传感器有效

专利信息
申请号: 201110134840.3 申请日: 2011-05-23
公开(公告)号: CN102313623A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 桑原朗;畑板刚久;岸田创太郎 申请(专利权)人: 株式会社堀场STEC
主分类号: G01L9/12 分类号: G01L9/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本京都府京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 静电 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种静电容型压力传感器,对因压力而发生位移的隔膜与固定电极之间的静电容的变化进行检测,从而对压力进行测定,该静电容型压力传感器包括:

传感器主体,以使所述固定电极露出至一端侧的方式而固定着所述固定电极;

隔膜构造体,以与所述传感器主体之间形成密闭空间的方式而接合于所述传感器主体的一端侧;以及

固定用构件,以将所述隔膜构造体的受压部予以包围的方式而接合于所述隔膜构造体,安装于形成被测定流路的流路形成构件,将流体引导至所述受压部,

所述隔膜构造体包括:

形成所述隔膜的平板状的隔膜主体;

热膨胀率已知的第一环状构件,接合于所述隔膜主体中的电极侧周缘部,且连接于所述传感器主体的一端侧;以及

热膨胀率已知的第二环状构件,接合于所述隔膜主体中的受压侧周缘部,且连接于所述固定用构件。

2.根据权利要求1所述的静电容型压力传感器,其中

根据所述第一环状构件的热膨胀率、所述第二环状构件的热膨胀率以及所述隔膜主体的热膨胀率来对所述隔膜的张力进行调整。

3.根据权利要求1或2所述的静电容型压力传感器,其中

所述第一环状构件的热膨胀率与所述第二环状构件的热膨胀率大致相同。

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