[发明专利]晶圆亲水面表面清洗方法无效
| 申请号： | 201110133164.8 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102214559A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 叶伟清 | 申请（专利权）人： | 叶伟清 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆的亲水面表面局部定位清洗方法。对工艺处理过程中做不到完全疏水面的晶圆、以及因材质的缘故不会成为疏水面的晶圆，在清洗时因清洗液滴在晶圆表面铺展，导致清洗液残留在晶圆表面无法回收。采用气相包裹法局部定位清洗方法，可以成功地完成亲水面晶圆清洗任务，解决了液滴在晶圆亲水面铺展无法回收的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆亲 水面 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的亲水面表面局部定位清洗方法，其特征在于：利用定位清洗触头对半导体晶圆的亲水微表面进行清洗；所述定位清洗触头为双层结构，在触头内层结构安装清洗液输出管道和清洗液回收管道，外层结构与内层结构之间具有一定空隙，所述空隙形成气体导管，在气体导管中注入高速气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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