[发明专利]晶圆亲水面表面清洗方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆的亲水面表面局部定位清洗方法，其特征在于：利用定位清洗触头对半导体晶圆的亲水微表面进行清洗；所述定位清洗触头为双层结构，在触头内层结构安装清洗液输出管道和清洗液回收管道，外层结构与内层结构之间具有一定空隙，所述空隙形成气体导管，在气体导管中注入高速气体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：当定位清洗触头在亲水性晶圆表面平行移动进行清洗时按照如下步骤进行：

(1)触头到位；

(2)由气体导管中吹出高速气体，高速气体接触到晶圆表面后向四周发散形成气墙；

(3)触头中的清洗液输出管道流出清洗液滴，清洗液滴在气体作用下于触头顶端与晶圆表面形成为气相包裹的液滴；

(4)气相包裹的清洗液滴随着清洗触头移动，并在清洗过程中始终保持液滴状结构；

(5)在对指定污染区域进行清洗过程中，新鲜清洗液滴不断地输出，清洗废液滴不断地通过回收导管回收，直到污染区域清洗完毕；

(6)清洗药液完成清洗后切换成纯水清洗，直到晶圆污染面清洗完毕。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：使气体导管中吹出高速气体的设备为气体泵，气体泵与触头相连接。

4.如权利要求3中所述的方法，其特征在于：清洗前按照晶圆测试数据，确定污染物分布区域。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于：清洗过程在上下方向移动自如的升降器上进行。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：利用机械手把晶圆放置于所述升降器上；放置后升降器下降，从而把晶圆设置于回转自如的支承晶圆的盘体上；同心调整机构把晶圆圆心对准盘体圆心；晶圆旋转并带动固定在盘本体下侧的三个转轮一起转动；所述同心调整机构使晶圆保持水平、同心转动。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：晶圆的旋转速度、清洗触头起始半径和终止半径、清洗液滴扫描送程节距、清洗扫描区域、气体的排放量、药液和纯水的输出和回收量由计算机控制。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：清洗扫描区域正方形、矩形、弧形、环形、扇形、圆形中的任意一种。