[发明专利]电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110132426.9 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102254896A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 关根重信;关根由莉奈;桑名良治 申请(专利权)人: 纳普拉有限公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L23/48;H01L23/14;H01L21/56;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种电子器件及其制造方法,具有高性能及高功能、良好的高频特性、对降低成本有效的绝缘结构。半导体基板1具有在其厚度方向上延伸的纵孔30。绝缘物填充层3是通过向纵孔30内进行填充以覆盖其内周面而成的环状层。纵导体2由填充到被绝缘物填充层3所包围的区域20内的凝固金属体而成。绝缘填充层3是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和具有纳米复合材料结构的陶瓷的层。纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过1014Ω·cm,相对介电常数在4~9的范围内。
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种电子器件,含有半导体基板、绝缘物填充层和纵导体,其特征在于,上述半导体基板具有在其厚度方向上延伸的纵孔,上述绝缘物填充层是通过向上述纵孔内进行填充以使得覆盖上述纵孔内周面而成的环状层,是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和纳米复合材料结构的陶瓷的层,上述纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过1014Ω·cm,相对介电常数在4~9的范围内,上述纵导体由填充到被上述绝缘物填充层所包围的区域内的凝固金属体而成。
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