[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，含有半导体基板、绝缘物填充层和纵导体，其特征在于，

上述半导体基板具有在其厚度方向上延伸的纵孔，

上述绝缘物填充层是通过向上述纵孔内进行填充以使得覆盖上述纵孔内周面而成的环状层，是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和纳米复合材料结构的陶瓷的层，

上述纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过10¹⁴Ω·cm，相对介电常数在4～9的范围内，

上述纵导体由填充到被上述绝缘物填充层所包围的区域内的凝固金属体而成。

2.如权利要求1记载的电子器件，其特征在于，

还包括电磁屏蔽层，上述电磁屏蔽层埋设于上述绝缘物填充层的层厚的中间部，并包围上述纵导体的周围。

3.如权利要求1记载的电子器件，其特征在于，

采用3D-SiP三维系统级封装。

4.如权利要求1记载的电子器件，其特征在于，

包含发光二极管。

5.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在包括半导体基板的基板中，形成朝向其厚度方向的纵孔，

向上述纵孔的内部填充绝缘物，上述绝缘物具有：有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物；和纳米复合材料结构陶瓷，上述纳米复合材料结构陶瓷的常温电阻率超过10¹⁴Ω·cm，相对介电常数在4～9的范围内，

在上述绝缘物中形成纵孔，

向上述绝缘物的上述纵孔内填充熔融金属。

6.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在包括半导体基板的基板中，形成朝向其厚度方向的纵孔，

向上述纵孔的内部填充绝缘物，上述绝缘物具有：有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物；和纳米复合材料结构陶瓷，上述纳米复合材料结构陶瓷的常温电阻率超过10¹⁴Ω·cm，相对介电常数在4～9的范围内，

在上述绝缘物中形成第1纵孔，

在上述绝缘物的上述第1纵孔的内壁面形成电磁屏蔽膜，

在由上述电磁屏蔽膜所包围的第2纵孔内，进一步填充第2绝缘物，

在上述第2绝缘物中形成第3纵孔，

向上述第2绝缘物的上述第3纵孔内填充熔融金属。