[发明专利]用于制造半导体器件的方法和包括具有通孔的芯片的半导体器件

摘要

一种用于制造半导体器件的方法和包括具有通孔的芯片的半导体器件，其中：第一晶圆(32)，包括至少一个第一集成电路芯片(2)和围绕该第一芯片的支撑层(7)，第一晶圆(32)的前面包括第一支撑层的前面和第一芯片的有源侧；第一电连接层(33)，被放置在所述第一晶圆的前面，并且包括第一电连接网络(12)；第二晶圆(34)，被放置在第一电连接层的前面，并且包括至少一个第二集成电路芯片(14a)和围绕该第二芯片的支撑层(21a)，所述第二芯片具有位于第一电连接层侧的有源侧以及填充有导体以形成电连接通孔(25)的透孔(24)；以及第二电连接层(35)，被放置在所述第二晶圆上，并且包括第二电连接网络(27)。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在特定位置(6)中制作第一晶圆(8)，所述第一晶圆(8)包括第一集成电路芯片(2)和围绕这些第一芯片的第一支撑层(7)，所述第一晶圆(8)的前面包括所述第一支撑层的前面和所述第一芯片的有源侧；在所述第一晶圆(8)的前面上制作第一电连接层(11)，所述第一电连接层(11)在所述位置(6)上包括第一电连接网络(12)；在所述位置(6)上安装第二集成电路芯片(14)，并且形成围绕这些第二芯片的第二支撑层(21)，以便形成中间晶圆(22)，这些第二芯片具有位于所述第一电连接层侧的有源侧以及在所述第一电连接层侧开口并且填充有导体以形成电连接通孔(18)的盲孔(17)；减小所述中间晶圆(22)的厚度以便构建第二晶圆(22a)，所述第二晶圆(22a)包括变薄的第二芯片(14a)和变薄的第二支撑层(21a)，在所述变薄的第二支撑层(21a)中，所述变薄的第二芯片的通孔(18)暴露出前部；并且在所述第二晶圆(22a)上制作第二电连接层(26)，所述第二电连接层(26)在所述位置(6)上包括第二电连接网络(27)，使得在最终结构的每个位置处获得半导体器件。