[发明专利]用于制造半导体器件的方法和包括具有通孔的芯片的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域。

背景技术

越来越常见的是，使用具有透孔的集成电路芯片来制作从一侧到另一侧的电连接，并将这种芯片集成在叠生芯片的复杂组件中。为此，已提出：在包括多个芯片的晶圆之芯片的有源侧上制作填充有导体的盲孔；通过紧靠厚的支撑晶圆放置芯片的有源侧，将该承载芯片的晶圆安装在该支撑晶圆上；使承载芯片的晶圆变薄直到暴露出之后形成电连接通孔的导体；可选地借助于层集成电连接网络并通过封装其它芯片，将这些其它芯片装配在变薄的承载芯片的晶圆的背面上；移除支撑晶圆；在承载芯片的晶圆的前面制作电连接层；并且，最后切割最终晶圆，以分离半导体器件。

可以立即注意到，这一过程需要很多操作，并且需要使用支撑晶圆作为制造半导体器件的工具。

提议简化组件的制造，尤其是简化包括至少一个具有电连接通孔的芯片的集成电路芯片的组件制造。

发明内容

根据一种实施方式，一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤。

在特定位置中制作第一晶圆，所述第一晶圆包括第一集成电路芯片和围绕这些第一芯片的第一支撑层，所述第一晶圆的前面包括所述第一支撑层的前面和所述第一芯片的有源侧。

在所述第一晶圆的前面上制作第一电连接层，所述第一电连接层在所述位置上包括第一电连接网络。

在所述位置上安装第二集成电路芯片，并且形成围绕这些芯片的第二支撑层，以便形成中间晶圆，这些第二芯片具有位于所述第一电连接层侧的有源侧以及在所述第一电连接层侧开口并且填充有导体以形成电连接通孔的盲孔。

减小中间晶圆的厚度以便构建第二晶圆，所述第二晶圆包括变薄的第二芯片和变薄的第二支撑层，在所述变薄的第二支撑层中，所述变薄的第二芯片的通孔暴露出前部。

在所述第二晶圆上制作第二电连接层，所述第二电连接层在所述位置上包括第二电连接网络。

因此，在最终结构的每个位置处获得可能即将被分离的半导体器件。

此外，可以在所述位置上在所述第二变薄的支撑层中制作透孔，并使用导体填充这些孔，以便形成电连接通孔。

还可以在所述位置上将分立的外部电连接装置放置在所述第二电连接层上。

还可以切割最终晶圆以便分离所获得的每个半导体器件。

还提出一种半导体器件，包括：第一晶圆，包括至少一个第一集成电路芯片和围绕该第一芯片的支撑层，所述第一晶圆的前面包括所述第一支撑层的前面和所述第一芯片的有源侧；第一电连接层，被放置在所述第一晶圆的前面，并且包括第一电连接网络；第二晶圆，被放置在所述第一电连接层的前面，并且包括至少一个第二集成电路芯片和围绕该第二芯片的支撑层，所述第二芯片具有位于所述第一电连接层侧的有源侧以及填充有导体以形成电连接通孔的透孔；以及第二电连接层，被放置在所述第二晶圆上，并且包括第二电连接网络。

所述第一芯片和所述第二芯片可以借助于所述第一电连接网络进行连接。

所述第一芯片可以借助于所述第一电连接网络、穿过所述第二芯片的至少一些通孔以及所述第二电连接网络连接至前面的电连接装置。

所述第二芯片借助于穿过所述第二芯片的至少一些电连接通孔以及所述第二电连接网络连接至前面的电连接装置。

此外，可以提供穿过所述第二晶圆的支撑层的电连接通孔，这些通孔可能连接至所述第一电连接网络和所述第二电连接网络。

所述第一支撑层、所述电连接层、所述支撑层和所述电连接层可以由相同的基材制成。

附图说明

现在将借助于利用附图示出的非限制性示例来描述用于制造半导体器件的方法和最终的半导体器件，附图中：

图1示出根据集成第一集成电路芯片的一个制造步骤的半导体结构的截面图；

图2示出从图1得到的半导体结构的截面图；

图3示出根据集成第一电连接网络的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图4示出根据用于放置配备有通孔的第二集成电路芯片的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图5示出根据用于放置填充物的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图6示出根据集成第二集成电路芯片的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图7示出根据示出厚度减小的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图8示出根据集成补充通孔的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图9示出根据集成第二电连接网络的后续制造步骤的半导体结构的截面图；

图10示出根据集成外部电连接装置的后续制造步骤的半导体结构的截面图；