[发明专利]一种链式相变存储器结构无效
| 申请号： | 201110126447.X | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102157197A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡道林;陈后鹏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种链式相变存储器结构,所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效应晶体管的漏端相连形成场效应晶体管链；一个块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接。在读写过程中，由于没有选通的存储单元的场效应晶体管处于开启状态，从而使对应的相变单元两端为短路状态，而且是接地的。没有选通的存储单元的相变材料两端为接地状态，从而可以消除位线串扰带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 链式 相变 存储器 结构 | ||
【主权项】：
一种链式相变存储器结构，其特征在于：所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效应晶体管的漏端相连形成场效应晶体管链；一个块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接。
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