[发明专利]一种链式相变存储器结构无效
| 申请号： | 201110126447.X | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102157197A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡道林;陈后鹏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 链式 相变 存储器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种链式相变存储器结构，其特征在于：所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效应晶体管的漏端相连形成场效应晶体管链；一个块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接。
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接是指该场效应晶体管链的一端通过块选择晶体管接位线BL，另一端接地。
3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：相变存储单元的选中，通过关闭各个的场效应晶体管上的栅极信号和开启其它相变存储单元上与各个的场效应晶体管并联的晶体管上的栅极信号来实现的。
4.如权利要求1所述的一种链式相变存储器结构，其特征在于：所述链式相变存储器结构包括八个串联的相变存储单元。
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