[发明专利]MEMS牺牲层结构制造方法有效
| 申请号： | 201110124606.2 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102205942A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;左青云;李佳青 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的MEMS牺牲层结构制造方法包括：金属层形成步骤；牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，用于改善硅片表面特性；牺牲层沉积步骤，用于沉积牺牲层；支撑孔图形化步骤，用于实现在牺牲层内的支撑孔图形化；以及牺牲层后处理步骤，用于对牺牲层进行处理，以在牺牲层表面形成表面薄膜。所形成的薄膜把牺牲层有效地封盖住，以解决H溢出后导致的薄膜与非晶硅剥离问题，从而提高相关MEMS产品的性能、成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 牺牲 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于包括：金属层形成步骤；牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，用于改善硅片表面特性；牺牲层沉积步骤，用于沉积牺牲层；支撑孔图形化步骤，用于实现在牺牲层内的支撑孔图形化；以及牺牲层后处理步骤，用于对牺牲层进行处理，以在牺牲层表面形成表面薄膜。
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