[发明专利]MEMS牺牲层结构制造方法

权利要求书

1.一种MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于包括：

金属层形成步骤；

牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，用于改善硅片表面特性；

牺牲层沉积步骤，用于沉积牺牲层；

支撑孔图形化步骤，用于实现在牺牲层内的支撑孔图形化；以及

牺牲层后处理步骤，用于对牺牲层进行处理，以在牺牲层表面形成表面薄膜。

2.根据权利要求1所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，其中所述MEMS牺牲层结构制造方法被用于实现MEMS微桥结构。

3.根据权利要求1所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，其中所述牺牲层为非晶硅牺牲层。

4.根据权利要求1至3之一所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，其中所述MEMS牺牲层结构制造方法被用于CMOS-MEMS工艺。

5.如权利要求1所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，还包括表面平坦化步骤，用于在金属层图形之间形成介质填充并实现表面平坦化；在表面平坦化步骤中，先沉积介质SiO2，并利用CMP工艺和介质回刻蚀实现表面平坦化。

6.如权利要求1所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，所述牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，包括利用紫外光照和O₂、O₃等离子体对硅片表面进行处理。

7.如权利要求6所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，在牺牲层沉积前处理之前，沉积一层SiO₂黏附层以进一步增强牺牲层与下表面的黏附性。

8.如权利要求1所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，在牺牲层沉积步骤后，还包括退火处理步骤。

9.根据权利要求8所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，其中在所述退火处理中，退火温度为300℃-420℃，时间为5min-15min。

10.根据权利要求1、2、3、8之一所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，所述牺牲层后处理步骤中采用O₂或O₃、或O₂与O₃的混合气体、与惰性气体对牺牲层表面进行处理。

11.根据权利要求10所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar、He、N₂O中的一种或几种，所述O₂或O₃、或O₂与O₃的混合气体与惰性气体的比例大于2∶1。

12.根据权利要求3所述的MEMS牺牲层结构制造方法，其特征在于，其中所述牺牲层沉积步骤包括对SiH₄进行分解，其中的反应气体包括SiH4和/或惰性气体和/或H2。