[发明专利]一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法有效
申请号: | 201110123907.3 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102201362A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 张峰;曹共柏;魏星;王文宇;王曦 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/304 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法,采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚度,再采用抛光工艺做精细加工,且在研磨减薄工艺中特别为器件衬底预留了更多的余量,以保证器件衬底能够得到更为精细的抛光。以上方法通过将常规的研磨和抛光等工艺巧妙结合,并根据目标厚度来控制每一步实施完毕后所保留的衬底厚度,从而做到了能够在支撑衬底的机械强度允许的范围内将支撑衬底减薄到任意厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 任意 厚度 带有 绝缘 衬底 方法 | ||
【主权项】:
一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一器件衬底和一支撑衬底;在器件衬底和支撑衬底至少一个的表面形成绝缘层;以绝缘层为中间层,将器件衬底与支撑衬底键合,形成三层复合衬底;研磨减薄复合衬底中的支撑衬底至第一厚度,所述第一厚度大于支撑衬底的目标厚度;研磨减薄复合衬底中的器件衬底至第二厚度,所述第二厚度大于器件衬底的目标厚度,且第二厚度与器件衬底目标厚度的差值大于第一厚度与支撑衬底目标厚度的差值;对键合后的复合衬底实施双面抛光,同时减薄支撑衬底和器件衬底,至支撑衬底的厚度达到目标厚度;对键合后的复合衬底中的器件衬底实施单面抛光,至器件衬底的厚度达到目标厚度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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