[发明专利]一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法有效
申请号: | 201110123907.3 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102201362A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 张峰;曹共柏;魏星;王文宇;王曦 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/304 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 任意 厚度 带有 绝缘 衬底 方法 | ||
1.一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一器件衬底和一支撑衬底;
在器件衬底和支撑衬底至少一个的表面形成绝缘层;
以绝缘层为中间层,将器件衬底与支撑衬底键合,形成三层复合衬底;
研磨减薄复合衬底中的支撑衬底至第一厚度,所述第一厚度大于支撑衬底的目标厚度;
研磨减薄复合衬底中的器件衬底至第二厚度,所述第二厚度大于器件衬底的目标厚度,且第二厚度与器件衬底目标厚度的差值大于第一厚度与支撑衬底目标厚度的差值;
对键合后的复合衬底实施双面抛光,同时减薄支撑衬底和器件衬底,至支撑衬底的厚度达到目标厚度;
对键合后的复合衬底中的器件衬底实施单面抛光,至器件衬底的厚度达到目标厚度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在键合前对器件衬底和支撑衬底做厚度修正。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在键合后加热三层复合衬底,对键合界面进行加固。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一厚度大于支撑衬底的目标厚度3μm以上。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二厚度大于支撑衬底的目标厚度3μm以上。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第二厚度与器件衬底目标厚度的差值与第一厚度与支撑衬底目标厚度的差值两者之差不大于2μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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