[发明专利]在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺无效
| 申请号： | 201110123664.3 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412205A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘格致;毛刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，其中，步骤a：进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；步骤b：进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度；步骤c：进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入。本发明通过将静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的顺序提前，完成静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入后通过湿法刻蚀，减小静态随机存储器件及单元器件的栅极侧壁层的厚度，之后再进行单元器件的轻掺杂漏极离子注入的工艺，在保证了静态随机存储器件的低漏电的前提下，同样保证了单元器件的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 离子 植入 调节 栅极 侧壁 特征 尺寸 工艺 | ||
【主权项】：
一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，其特征在于，步骤a：进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；步骤b：进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度；步骤c：进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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