[发明专利]通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺

摘要

本发明通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺解决了现有技术中无法在不增加工艺步骤、延长工艺周期的前提下达到控制通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制的问题，本发明使用在先制作的通孔中填充易于在沟槽刻蚀过程中灰化去除的牺牲材料的方法，实现超厚顶层金属双大马士革制造工艺，本发明具有有利于工艺控制，减少工艺步骤，缩短生产周期的技术效果。

主权项

一种通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，在基体的已完成的前层金属层上依次淀积一第一介电阻挡层、一第一介电层；旋涂光刻胶，并光刻形成通孔图形；通过干法刻蚀在第一介电层形成通孔，部分第一介电阻挡层被刻蚀，使所述通孔止于所述第一介电阻挡层，并去除剩余的光刻胶；旋涂牺牲材料填充通孔；去除通孔外的牺牲材料；淀积第二介电层；在第二介电层上旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；通过干法刻蚀形成沟槽；去除残留光阻和通孔内的牺牲材料；进行干法刻蚀，以打开通孔底部的第一介电阻挡层直至通孔接触到其底部的前层金属层；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；将电镀铜填满通孔和沟槽；进行化学机械研磨平坦化工艺，以去除多余金属。