[发明专利]通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺

权利要求书

1.一种通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，在基体的已完成的前层金属层上依次淀积一第一介电阻挡层、一第一介电层；旋涂光刻胶，并光刻形成通孔图形；通过干法刻蚀在第一介电层形成通孔，部分第一介电阻挡层被刻蚀，使所述通孔止于所述第一介电阻挡层，并去除剩余的光刻胶；旋涂牺牲材料填充通孔；去除通孔外的牺牲材料；淀积第二介电层；在第二介电层上旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；通过干法刻蚀形成沟槽；去除残留光阻和通孔内的牺牲材料；进行干法刻蚀，以打开通孔底部的第一介电阻挡层直至通孔接触到其底部的前层金属层；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；将电镀铜填满通孔和沟槽；进行化学机械研磨平坦化工艺，以去除多余金属。

2.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过干法刻蚀形成的沟槽止于所述第一介电层。

3.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，完成所述第一介电层的淀积后，在所述第一介电层上淀积一第二介电阻挡层。

4.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，所述牺牲材料采用的是填充能力好、耐高温、稳定性强、易于去除的材料。

5.根据权利要求1或4所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，所述牺牲材料采用聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过使用含氧的等离子体刻蚀以去除通孔外的牺牲材料。

7.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，采用化学机械研磨去除通孔外的牺牲材料。

8.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过化学气相淀积硅氧化物以形成所述第一介电层和所述第二介电层。

9.根据权利要求3所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过化学气相淀积工艺形成所述第一介电阻挡层和所述第二介电阻挡层，淀积形成所述第一介电阻挡层和所述第二介电阻挡层的材料从SiN、SiC、SiCN中选取。

10.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，所述第二介电层的厚度大于等于3微米。

11.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，进行等离子体刻蚀，以去除残留光阻和通孔内的牺牲材料。

12.根据权利要求11所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，采用含氧的等离子体刻蚀工艺，以去除通孔内的牺牲材料。

13.根据权利要求11所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过对所述牺牲材料选择比高的湿法刻蚀去除通孔内的牺牲材料。

14.根据权利要求3所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，通过干法刻蚀在第二介电阻挡层、第一介电层形成通孔，部分第一介电阻挡层被刻蚀。

15.根据权利要求1所述的通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺，其特征在于，所述前层金属层的材质为铜。