[发明专利]基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器

摘要

本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，主要解决现有技术工作频率低、相位噪声高的问题。它包括一个2/3双模分频器、一个异步除4分频器、一个模式选择逻辑电路。2/3双模分频器由两个嵌入与非门的D触发器构成，除4分频器由两异步连接的D触发器构成，模式选择逻辑电路由一个三输入或非门和一个非门构成。该预分频器路中的所有晶体管均采用异质结材料为InGaP/GaAs的GaAs单异质结双极晶体管。本发明在模式控制信号的控制下能实现8分频或9分频功能，具有工作频率高、相位噪声低、工作速度快和优良的高低温特性及较好的抗辐照性能，可应用在高频段收发系统中的频率合成器中。

主权项

一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，包括：2/3双模分频器(300)，用于根据模式选择逻辑电路(500)的输出信号对来自压控振荡器的高频信号(301)除以2或3，得到输出信号送给异步除4分频器(400)；异步除4分频器(400)，用于对2/3双模分频器(300)的输出信号进行4分频后输出，并另外产生两个输出信号送给模式选择逻辑电路(500)；模式选择逻辑电路(500)，用于接收程序分频器(200)的输出信号和异步除4分频器400的两个输出信号，得到的输出信号送给2/3双模分频器(300)；其特征在于：2/3双模分频器(300)包括两个嵌入与非门的D触发器(310，320)，每个嵌入与非门的D触发器中的晶体管均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs；异步除4分频器(400)包括两个异步连接的D触发器(410，420)，每个D触发器中的晶体管均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs；模式选择逻辑电路(500)包括一个三输入或非门(510)和一个非门(520)，这两个逻辑门均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs。