[发明专利]基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器

权利要求书

1.一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，包括：

2/3双模分频器(300)，用于根据模式选择逻辑电路(500)的输出信号对来自压控振荡器的高频信号(301)除以2或3，得到输出信号送给异步除4分频器(400)；

异步除4分频器(400)，用于对2/3双模分频器(300)的输出信号进行4分频后输出，并另外产生两个输出信号送给模式选择逻辑电路(500)；

模式选择逻辑电路(500)，用于接收程序分频器(200)的输出信号和异步除4分频器400的两个输出信号，得到的输出信号送给2/3双模分频器(300)；

其特征在于：

2/3双模分频器(300)包括两个嵌入与非门的D触发器(310，320)，每个嵌入与非门的D触发器中的晶体管均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs；

异步除4分频器(400)包括两个异步连接的D触发器(410，420)，每个D触发器中的晶体管均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs；

模式选择逻辑电路(500)包括一个三输入或非门(510)和一个非门(520)，这两个逻辑门均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管，该单异质结的材料为InGaP/GaAs。

2.根据权利要求1所述的超高速8/9双模预分频器，其特征在于：所述嵌入与非门的D触发器，包括：第一差分电路(Q1，Q2)，第二差分电路(Q3，Q4)，第三差分电路(Q5，Q6)，第四差分电路(Q13，Q14)，第五差分电路(Q15，Q16)，第一交叉耦合电路(Q7，Q8)以及第二交叉耦合电路(Q15，Q16)，其中：

第一差分电路(Q1，Q2)与第二差分电路(Q3，Q4)连接组成一个与非门；该与非门和第一交叉耦合电路(Q7，Q8)分别与第三差分电路(Q5，Q6)连接，组成一个嵌入与非门的锁存器；该嵌入与非门的锁存器的输出端分别与第一射极跟随器(Q9，Q10)和第二射极跟随器(Q11，Q12)相连；第四差分电路(Q13，Q14)和第二交叉耦合电路(Q17，Q18)均与第五差分电路(Q15，Q16)连接，组成第一锁存器，该锁存器的输出端与第三射极跟随器(Q19，Q20)以及第四射极跟随器(Q21，Q22)相连，使输出电平符合后级电路输入电平的要求。

3.根据权利要求1所述的超高速8/9双模预分频器，其特征在于：所述异步连接的D触发器，包括：第六差分电路(Q29，Q30)，第七差分电路(Q31，Q32)，第八差分电路(Q35，Q36)，第九差分电路(Q37，Q38)，第三交叉耦合电路(Q33，Q34)以及第四交叉耦合电路(Q39，Q40)，其中：

第六差分电路(Q29，Q30)和第三交叉耦合电路(Q33，Q34)均与第七差分电路(Q31，Q32)连接，组成第二锁存器，该第二锁存器的输出与第八差分电路(Q35，Q36)相连；第八差分电路(Q35，Q36)和第四交叉耦合电路(Q39，Q40)均与第九差分电路(Q37，Q38)连接，组成第三锁存器。

4.根据权利要求1所述的超高速8/9双模预分频器，其特征在于：所述三输入或非门(510)，包括：第十差分电路(Q43，Q44)，第十一差分电路(Q45，Q46)以及第十二差分电路(Q47，Q48)，其中：

第十差分电路晶体管(Q43，Q44)与第十一差分电路(Q45，Q46)相连，第十一差分电路(Q45，Q46)与第十二差分电路(Q47，Q48)相连，第十二差分电路(Q47，Q48)的交流地与用作电流源的晶体管(Q49)相连。

5.根据权利要求1所述的超高速8/9双模预分频器，其特征在于：所述非门(520)，包括第十三差分电路(Q50，Q51)和晶体管(Q52)，晶体管(Q52)的集电极与第十三差分电路(Q50，Q51)的交流地相连，为第十三差分电路(Q50，Q51)提供稳定的电流。