[发明专利]白光LED芯片制作工艺及其产品无效

专利信息
申请号: 201110122401.0 申请日: 2011-05-12
公开(公告)号: CN102208499A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 殷仕乐 申请(专利权)人: 深圳市瑞丰光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/50
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于LED生产领域,提供了一种白光LED芯片制作工艺,包括如下步骤:步骤一,将基板切割成合适的尺寸,步骤二,制作出透明电极层;步骤三,制作出P电极和N电极;步骤四,采用激光切割出切割道;步骤五,在所述裸芯片上增设荧光粉硅胶层;步骤六,在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层;步骤七,除去所述P电极和N电极上的光阻层;步骤八,除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层;步骤九,除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层。本发明提供的工艺,通过在芯片的表层直接涂布荧光粉,使其形成一荧光粉硅胶层,大大提高芯片的出光率,并可大大节省原有工序和工艺成本。本发明还提供了由上述工艺制作的一种白光LED芯片,其白光发光效率高,且发光均匀。
搜索关键词: 白光 led 芯片 制作 工艺 及其 产品
【主权项】:
一种白光LED芯片制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将依次层叠设有蓝宝石衬底、N‑GaN层、LED发光层、P‑GaN层的基板切割成合适的尺寸;步骤二,在切割后的基板上制作出透明电极层,并采用蚀刻法将P‑GaN层露出,以便制作N电极;步骤三,在透明电极层上制作出P电极,在N‑GaN层上制作出N电极;步骤四,采用激光切割出切割道,切割深度至基板的蓝宝石衬底;步骤五,在芯片上增设一可以将蓝光激发为白光的荧光粉硅胶层;步骤六,在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层;步骤七,通过显影、刻蚀工艺除去所述P电极和N电极上的光阻层;步骤八,除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层;步骤九,除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层,得到白光LED芯片。
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