[发明专利]白光LED芯片制作工艺及其产品

权利要求书

1.一种白光LED芯片制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将依次层叠设有蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层的基板切割成合适的尺寸；

步骤二，在切割后的基板上制作出透明电极层，并采用蚀刻法将P-GaN层露出，以便制作N电极；

步骤三，在透明电极层上制作出P电极，在N-GaN层上制作出N电极；

步骤四，采用激光切割出切割道，切割深度至基板的蓝宝石衬底；

步骤五，在芯片上增设一可以将蓝光激发为白光的荧光粉硅胶层；

步骤六，在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层；

步骤七，通过显影、刻蚀工艺除去所述P电极和N电极上的光阻层；

步骤八，除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层；

步骤九，除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层，得到白光LED芯片。

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片制作工艺，其特征在于，在所述步骤九之后还包括步骤十：将步骤八得到的白光LED芯片分离成单晶LED。

3.根据权利要求1所述的白光LED芯片制作工艺，其特征在于，所述步骤二中的蚀刻法为湿式蚀刻法和干式蚀刻法。

4.根据权利要求1所述的白光LED芯片制作工艺，其特征在于，所述步骤四顺次包括涂布、光刻、蚀刻、烘烤。

5.根据权利要求2所述的白光LED芯片制作工艺，其特征在于，所述步骤九顺次包括研磨、抛光、切割、劈裂工艺。

6.一种由权利要求1至5所述的工艺制作的白光LED芯片，包括依序层叠设置的蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层、透明电极层，以及制作于所述透明电极层上的P-电极和制作于所述N-GaN层上的N-电极，其特征在于，所述透明电极层上设有荧光粉硅胶层。

7.根据权利要求6所述的白光LED芯片，其特征在于，所述的荧光粉硅胶层的厚度为10μm-80μm。

8.根据权利要求6或者7所述的白光LED芯片，其特征在于，所述的白光LED芯片的侧面还设置有荧光粉硅胶层。