[发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体激光元件的制造方法无效
| 申请号： | 201110119605.9 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102231477A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/028;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 激光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置，其具有涂覆有涂膜的光射出部，其特征在于所述光射出部由氮化物半导体构成，与所述光射出部相接的所述涂膜由氧氮化物构成，并且所述涂膜包含铝，且由氮化物构成的膜在所述涂膜上形成。
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