[发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光装置，其具有涂覆有涂膜的光射出部，其特征在于所述光射出部由氮化物半导体构成，与所述光射出部相接的所述涂膜由氧氮化物构成，并且所述涂膜包含铝，且由氮化物构成的膜在所述涂膜上形成。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于由所述氮化物构成的所述膜是由氮化硅构成的膜。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于所述氮化物半导体发光装置的基板为GaN基板。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于所述氮化物半导体发光装置是氮化物半导体激光装置并且所述光射出部是共振器端面。

5.一种制造权利要求4所述的氮化物半导体发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：

提供解理以形成所述共振器的所述端面；和

用由所述氧氮化物构成的所述涂膜涂覆所述共振器的所述端面。

6.根据权利要求5所述的制造氮化物半导体发光装置的方法，其特征在于所述氧氮化物通过采用氧化铝作为靶进行制作。

7.根据权利要求5所述的制造氮化物半导体发光装置的方法，其特征在于所述氧氮化物采用铝的氧氮化物作为靶进行制作。