[发明专利]用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法有效
| 申请号： | 201110112917.7 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102234779A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | S·T·哈罗兰;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱铁宏;谭祐祥 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法。具体而言，该方法主要提供成用于将薄膜溅射到单独基底(12)上。单独基底(12)可传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力。然后，单独基底(12)可传送到溅射室(166)中，且穿过平面磁控管由电离气体以溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在单独基底的表面上。该靶材(170)经受高频功率，该高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有从大约400kHz至大约4MHz的频率。在一个特定实施例中，该方法可主要针对将薄膜溅射到单独基底(12)上，该单独基底限定具有大约1000cm2至大约2500cm2的表面面积的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 复合 半导体 高速 溅射 大面积 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种将薄膜溅射到单独基底(12)上的方法，所述方法包括：将单独基底(12)传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力；以及，将所述单独基底传送到溅射室(166)中且穿过平面磁控管，从而由电离气体以所述溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在所述单独基底(12)的表面上，以及其中，所述靶材经受高频功率，所述高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有大约400kHz至大约4MHz的频率。
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