[发明专利]用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法

权利要求书

1.一种将薄膜溅射到单独基底(12)上的方法，所述方法包括：

将单独基底(12)传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力；以及，

将所述单独基底传送到溅射室(166)中且穿过平面磁控管，从而由电离气体以所述溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在所述单独基底(12)的表面上，以及其中，所述靶材经受高频功率，所述高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有大约400kHz至大约4MHz的频率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射压力为大约1mTorr至大约25mTorr。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，在溅射时，所述基底(12)以大致恒定的线传送速率传送。

4.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述靶材(170)经受高频功率，所述高频功率在大约2kW至大约5kW的功率水平下具有大约1MHz至大约3MHz的频率。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述高频功率经由阻抗匹配网络供送。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述靶材(170)为平面靶材，所述平面靶材具有大于大约1000cm²的表面面积，优选为具有大约1500cm²至大约2500cm²的表面面积。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，形成在所述单独基底(12)的表面上的所述薄膜具有大约50nm至大约250nm的平均厚度，优选为大约70nm至大约100nm。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，形成在所述单独基底(12)的表面上的所述薄膜具有小于所述平均厚度的大约20％的不均匀性，优选为所述平均厚度的大约7％至大约15％。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述薄膜以快于15nm·m²/分钟的速率形成在所述单独基底(12)的表面上。

10.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述频率选择为使得在溅射期间形成的磁场线不会在所述基底的第一表面的前方闭合。

11.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述电离气体包括氩，且优选为基本上由氩构成。

12.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述溅射温度为大约20℃至大约25℃。

13.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述单独基底(12)加热至溅射温度。

14.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述溅射温度为大约20℃至大约200℃，优选为大约50℃至大约150℃。

15.一种将薄膜溅射到单独基底(12)上的方法，所述单独基底限定具有大约1000cm²至大约2500cm²的表面面积的表面，所述方法包括：

将单独基底(12)传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力；

将所述单独基底(12)加热至大约50℃至大约200℃的溅射温度；以及

传送所述单独基底进入溅射室(166)，且穿过平面磁控管，从而由电离气体以所述溅射压力连续地溅射平面靶材(170)，以便薄膜形成在所述单独基底(12)的表面上，所述平面靶材(170)限定大约1000cm²至大约2500cm²的表面面积，其中，在溅射时，所述基底以大致恒定的线传送速率连续地传送，以便形成在所述单独基底(12)的表面上的所述薄膜具有大约50nm至大约250nm的平均厚度，而不均匀性为所述平均厚度的大约7％至大约15％，以及其中，所述靶材(170)经受高频功率，所述高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有400kHz至大约4MHz的频率。