[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201110110801.X | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760806A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，一碳纳米管层设置于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。本发明提供的发光二极管的光取出效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面, 且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于：所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，其位于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110110801.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种控制网络设备的方法和装置
- 下一篇：一种治疗心血管疾病的中药制剂
