[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

一基底；

一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面, 且所述第一半导体层靠近基底设置；

一第一电极与所述第一半导体层电连接；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于：所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，其位于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一自支撑结构直接铺设在所述基底的外延生长面。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层中具有多个空隙，所述第一半导体层从所述基底的外延生长面通过该空隙暴露的部分生长。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层覆盖所述碳纳米管层设置并渗透碳纳米管层的空隙与所述基底的外延生长面接触。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞的横截面的最大宽度为20纳米～200纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞的横截面的最大宽度为50纳米～100纳米。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管，且所述多个碳纳米管的轴向沿同一方向择优取向延伸。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述轴向沿同一方向择优取向延伸的相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管膜层叠设置。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个交叉设置的碳纳米管线。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的整体结构。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸。

14.如权利要求7或10所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞为多个平行且间隔排列的条形孔洞。

15.如权利要求9或11所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞相互连通，且分布在同一表面。

16.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层和第一电极间隔设置于所述第一半导体层的远离基底的表面。

17.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括一缓冲层、一本征半导体层以及一掺杂半导体层。