[发明专利]阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法无效
| 申请号： | 201110110325.1 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102183816A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周淦;胡小锋;张亮;苏翼凯 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/132;G02B6/122 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米半导体技术领域的阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，首先在在SOI晶片上涂上电子束光刻胶，然后通过电子束曝光系统和反应离子刻蚀系统在硅层上形成波导图形；然后在SOI脊形波导上沉积高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩；再去除电子束光刻胶以及其上的高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩，通过分子束淀积法第二次沉积高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩；最后利用射频溅射的方法，将金属银镀在聚合物薄膜上，最后制备得到阶梯结构的硅基表面等离子体波导。本发明产物具有纳米级的模场大小，较小的传输损耗，结合高非线性聚合物材料，实现超高的非线性。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 结构 表面 等离子体 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在SOI晶片上涂上电子束光刻胶，然后通过电子束曝光系统和反应离子刻蚀系统在硅层上形成波导图形；第二步、在SOI脊形波导上沉积高非线性聚合物‑区域规则性聚3己基噻吩；第三步、去除电子束光刻胶以及其上的高非线性聚合物‑区域规则性聚3己基噻吩，通过分子束淀积法第二次沉积高非线性聚合物‑区域规则性聚3己基噻吩；第四步、利用射频溅射的方法，将金属银镀在聚合物薄膜上，最后制备得到阶梯结构的硅基表面等离子体波导。
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