[发明专利]阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法

权利要求书

1.一种阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、在SOI晶片上涂上电子束光刻胶，然后通过电子束曝光系统和反应离子刻蚀系统在硅层上形成波导图形；

第二步、在SOI脊形波导上沉积高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩；

第三步、去除电子束光刻胶以及其上的高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩，通过分子束淀积法第二次沉积高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩；

第四步、利用射频溅射的方法，将金属银镀在聚合物薄膜上，最后制备得到阶梯结构的硅基表面等离子体波导。

2.根据权利要求1所述的阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，其特征是，所述的沉积是指：利用电子束曝光后剩余电子束光刻胶作为掩膜板，通过分子束淀积法沉积高非线性聚合物-区域规则性聚3己基噻吩。

3.根据权利要求1所述的阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，其特征是，所述的沉积的厚度与SOI脊形波导的高度相差银的阶梯高度。

4.根据权利要求1所述的阶梯结构的硅基表面等离子体波导的制备方法，其特征是，所述的第二次沉积的厚度为5nm。

5.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的阶梯结构的硅基表面等离子体波导，其特征在于，该阶梯结构的硅基表面等离子体波导脊形硅波导、金属银Ag阶梯结构层以及聚合物间隙层构成，金属层通过聚合物层与脊形硅波导在垂直方向上相连，金属层宽度大于硅基宽度，金属阶梯与硅脊对齐。