[发明专利]一种带有正交相位误差校准的二分频器无效

专利信息
申请号: 201110106872.2 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102299707A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 李正平;王明照;林荣 申请(专利权)人: 广州润芯信息技术有限公司
主分类号: H03L7/06 分类号: H03L7/06
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李永庆
地址: 510000 广东省广州市经*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种带有正交相位误差校准的二分频器。带有正交相位误差校准的二分频器,包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器,其特征在于:所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制,从而控制着主锁存器的偏置电流的大小;所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制,从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。本发明增加了控制字,调节锁存器偏置电流,校准了SCL结构的二分频器的正交两路信号的相位误差。
搜索关键词: 一种 带有 正交 相位 误差 校准 分频器
【主权项】:
一种带有正交相位误差校准的二分频器,包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器,其特征在于:所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制,从而控制着主锁存器的偏置电流的大小;所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路,MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制,从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。
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