[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110104692.0 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102760813A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;杨顺贵;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层。第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面。第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构。由于在第二n型氮化镓层上形成粗化表面，提高了发光二极管的光萃取效率。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层，所述第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面，其特征在于，所述第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构。
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