[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层，所述第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面，其特征在于，所述第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粗化表面环绕第二n型氮化镓层设置。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述基板选自蓝宝石基板、硅基板或者是碳化硅基板。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述氮化铝层的厚度范围为5-500nm。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二n型氮化镓层的厚度范围为300-500nm。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粗化表面包括环形的本体以及从环形本体向内延伸的触角。

7.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

a：提供一基板；

b：在所述基板上成长第一n型氮化镓层；

c：在所述第一n型氮化镓层表面形成一层图案化氮化铝层，所述氮化铝层覆盖在第一n型氮化镓层表面的边缘处；

d：在第一n型氮化镓层的未被氮化铝层覆盖的表面成长第二n型氮化镓层，所述第二n型氮化镓层成长至覆盖氮化铝层，且第二n型氮化镓层与氮化铝层所相邻的表面为反向极化氮化镓；

e：在第二n型氮化镓层表面依次成长发光层以及p型氮化镓层；

f：采用碱性溶液蚀刻掉所述氮化铝层，裸露出第二n型氮化镓层的与氮化铝层相邻的底面，并采用所述碱性溶液对裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面；以及

g：在p型氮化镓层表面制作电极层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述碱性溶液选自氢氧化钾溶液或者氢氧化钠溶液。

9.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：在步骤e中，采用85℃的碱性溶液对所述氮化铝层和第二n型氮化镓层蚀刻30-60分钟。

10.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述图案化的氮化铝层包括环形本体以及从环形本体向内延伸的触角。