[发明专利]半导体器件及形成方法、VDMOS晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 201110103208.2 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102184894A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法、VDMOS晶体管及形成方法。其中半导体器件的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；以所述多晶硅栅极为掩膜，对半导体衬底进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短。本发明所述半导体器件结构及其形成方法、VDMOS晶体管及形成方法可以有效防止击穿电压发生在次边缘的阱区上，从而提高整个半导体器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 vdmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；以所述多晶硅栅极为掩膜，对外延层进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
