[发明专利]半导体器件及形成方法、VDMOS晶体管及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；

在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；

刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；

以所述多晶硅栅极为掩膜，对外延层进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述结距由核心器件区中心向边缘区逐渐缩短。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述相邻结距比为0.5～0.9。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述最靠近边缘区的结距以外的位于核心器件区内的至少两个结距相同。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述最靠近边缘区的结距与位于核心器件区中心的结距比为0.4～0.7。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括在边界区形成终止结构。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述终止结构为浮置结构或场板结构。

8.根据权利要求6或7所述的形成方法，其特征在于，所述终止结构采用在外延层内掺杂形成。

9.一种半导体器件的结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含核心器件区和边缘区，位于半导体衬底上的外延层，所述核心器件区的外延层上依次具有栅介质层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极之间的外延层内形成有阱区，所述相邻阱区之间的距离为结距，其特征在于，最靠近边缘区的结距最短。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述结距由核心器件区中心向边缘区逐渐缩短。

11.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述相邻结距比为0.5～0.9。

12.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述最靠近边缘区的结距以外的位于核心器件区内的至少两个结距相同。

13.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，最靠近边缘区的结距与位于核心器件区中心的结距比为0.4～0.7。

14.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述边缘区包含有终止结构。

15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述终止结构为浮置结构或场板结构。

16.一种VDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包含如下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；

在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；

刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；

以所述多晶硅栅极为掩膜，对外延层进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短；

以多晶硅栅极为掩膜，向多晶硅栅极两侧的阱区内注入离子，形成源极；

在与栅极和源极对应的半导体衬底背面形成漏极。

17.一种VDMOS晶体管的结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含核心器件区和边缘区，位于半导体衬底上的外延层，所述核心器件区的外延层上依次具有栅介质层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极之间的外延层内形成有阱区，所述相邻阱区之间的距离为结距，位于多晶硅栅极两侧阱区内的源极，位于栅极和源极对应的半导体衬底背面的漏极，其特征在于，最靠近边缘区的结距最短。