[发明专利]一种半导体存储器结构及其制造方法

摘要

本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种半导体存储器结构及其制造方法。该半导体存储器采用隧穿场效应晶体管对相变存储器或阻变存储器进行比如擦写操作和读操作的控制，一方面，隧穿场效应晶体管的正向偏置p-n结电流可以满足相变存储器或阻变存储器需要较大的电流来进行擦写操作的特点；另一方面，垂直结构的场效应晶体管可以大大提高存储器件阵列的密度。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，非常适用于存储器芯片的制造。

主权项

一种半导体存储器结构，其特征在于，该结构包括至少一个电阻可变的存储单元和一个用于对半导体存储器进行操作的隧穿场效应晶体管结构；其中，所述的隧穿场效应晶体管包括至少一个源极、一个漏极，一个低掺杂沟道区和一个栅极；所述隧穿场效应晶体管的栅极连至字线，源极连至源线，可变电阻的两端分别连至位线和所述隧穿场效应晶体管的漏极；所述的隧穿场效应晶体管的漏区处于一个垂直于水平表面的平台结构的顶部，该平台结构采用的是半导体衬底材料，所述的源极处于所述平台结构底部向外延伸的衬底内，所述的低掺杂沟道区处于所述漏极与源极之间，所述的栅极将该平台结构的低掺杂区以下的部位覆盖以控制通过沟道区域的源极与漏极之间的电流大小。