[发明专利]一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法

摘要

本发明公开了一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，属于非晶硅薄膜电池技术，现有氢气稀释硅烷造成能源的浪费和温室效应，本发明是按照以下参数沉积：沉积温度为160-270℃；沉积功率密度为0.003-0.04W/cm2；沉积压力为30-110Pa；硅烷流量为0.5-3slm。本发明在制备过程中不使用氢气，只利用硅烷气体分解反应制得非晶硅薄膜，因此不会产生氢气稀释制备方法中的大量的原材料气体消耗和温室效应。本发明制得的本征层可用作薄膜电池的本征发电层。

主权项

一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：本征层沉积时无氢气参与，只利用硅烷气体分解反应制得非晶硅薄膜。