[发明专利]一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法在审
| 申请号： | 201110100648.2 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102212797A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李媛;叶志高;郝芳;叶平平 | 申请（专利权）人： | 杭州天裕光能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/24 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 胡龙祥 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 非晶硅 氢气 稀释 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：本征层沉积时无氢气参与，只利用硅烷气体分解反应制得非晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：采用射频化学气相沉积设备，在低功率密度、低沉积压强、无氢气气氛下制得。
3.根据权利要求1所述的一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征在于按照以下参数沉积：沉积温度为160-270℃、沉积功率密度为0.003-0.04W/cm2、沉积压力为30-110Pa、硅烷流量为0.5-3slm。
4.根据权利要求3所述的一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：沉积温度为180-220℃。
5.根据权利要求3所述的一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：沉积功率密度为0.006-0.02W/cm2。
6.根据权利要求3所述的一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法，其特征是：沉积压力为30-90Pa。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
