[发明专利]超级结器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110097476.8 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751313A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件，在垂直所述基片的方向上，P型薄层的宽度或杂质浓度不均匀，使P型薄层和N型薄层的杂质的载流子分布不均匀，上部P型薄层的P型杂质的载流子总量大于或等于相同深度的上部N型薄层的N型杂质的载流子总量，下部P型薄层的P型杂质的载流子总量小于或等于相同深度的下部N型薄层的N型杂质的载流子总量。本发明公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能改善器件的大电流处理能力并提高器件的反向击穿电压的均匀性、能提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结器件，形成于基片上，所述基片上形成有N型外延层，超级结器件包括形成于所述N型外延层中的交替排列的P型薄层和N型薄层，其特征在于：由一个所述P型薄层和一个所述N型薄层组成的单元的总宽度保持不变，所述N型薄层的杂质浓度均匀，在垂直所述基片的方向上，所述P型薄层分为上下相连的上部P型薄层和下部P型薄层、所述N型薄层分为上下相连的上部N型薄层和下部N型薄层；所述下部P型薄层由填充于沟槽中的P型硅组成，或者所述下部P型薄层由形成于所述N型外延层中的P型掺杂区组成；所述上部P型薄层由宽度大于所述下部P型薄层、浓度等于所述下部P型薄层的形成于所述N型外延层中的P型掺杂区组成，或者所述上部P型薄层由宽度大于或等于所述下部P型薄层、浓度大于或等于所述下部P型薄层的填充于沟槽中的P型硅组成；所述上部P型薄层的P型杂质的载流子总量大于或等于同一水平位置的所述上部N型薄层的N型杂质的载流子总量，所述下部P型薄层的P型杂质的载流子总量小于或等于同一水平位置的所述下部N型薄层的N型杂质的载流子总量。
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